چاپ مقاله ی عضو گروه پژوهشی فناوری خلا سازمان جهاددانشگاهی صنعتی شریف در مجله بین المللی سیلیکون

به گزارش روابط عمومی سازمان جهاددانشگاهی صنعتی شریف، این مقاله با عنوان انگلیسی Evaluation of the Topographical Surface Changes of Silicon Wafers after Annealing and Plasma Cleaning توسط مهندس علی آرمان از اعضا گروه پژوهشی فناوری خلا از سازمان جهاددانشگاهی صنعتی شریف نگارش شده است.

در چکیده این مقاله آمده است: هدف از این پژوهش بررسی اثر دما و پلاسما بر مورفولوژی سطح ویفر های سیلیکونی تک کریستال با استفاده از میکروسکوپ نیروی اتمی بوده است. این نتایج نشان داد که عملیات تمیز کاری خود می تواند موجب تغییراتی در سطح شده و کیفیت سطح بهبود نیابد.